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旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極在電解水制氫中的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2025-05-05

旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極(RotatingRing-DiskElectrode,RRDE)在電解水制氫(HER,HydrogenEvolutionReaction)研究中是一種重要的電化學(xué)工具,主要用于反應(yīng)機(jī)理分析、中間產(chǎn)物檢測(cè)和催化劑性能評(píng)估。以下是其應(yīng)用和原理的詳細(xì)說明:1.RRDE的基...

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  • 在電化學(xué)技術(shù)中,若電極相對(duì)于電解質(zhì)溶液保持靜止不動(dòng),稱靜止電極技術(shù);若電極和電解質(zhì)溶液相對(duì)運(yùn)動(dòng),稱流體動(dòng)力學(xué)技術(shù)。旋轉(zhuǎn)圓盤電極(或稱轉(zhuǎn)盤電極)和旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極是常用的兩種流體動(dòng)力學(xué)技術(shù)。轉(zhuǎn)盤電極只有一圓盤,環(huán)盤電極則在圓盤外圍設(shè)置一個(gè)圓環(huán),盤與環(huán)之間只有很小的間隙,圓盤或環(huán)盤圍繞中心軸旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速由一個(gè)旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)調(diào)節(jié)和測(cè)量。在旋轉(zhuǎn)圓盤電極的穩(wěn)態(tài)技術(shù)中,電極附近液相內(nèi)的有效擴(kuò)散層厚度,式中D為擴(kuò)散系數(shù);v為動(dòng)力粘度系數(shù);ω為圓盤電極轉(zhuǎn)動(dòng)角頻率。δ易于控制和計(jì)算,因而旋轉(zhuǎn)圓盤電極比靜止...

    2022-06-09
  • 隨著氫能源的飛速發(fā)展,客戶也在不斷尋找高功率電池和電堆的電化學(xué)阻抗譜(EIS)表征的解決方案。用于交流阻抗EIS分析的大電流恒電位儀和電子負(fù)載已經(jīng)是我們IPS愛譜斯產(chǎn)品組合中非常重要的一部分。在2022年德國(guó)漢諾威工業(yè)博覽會(huì)上,我們介紹了第三代Stack-EIS-M解決方案,它能為多達(dá)1000個(gè)燃料電池和電流容量高達(dá)2000A的燃料電堆進(jìn)性整堆EIS測(cè)試的同時(shí)進(jìn)行多通道EIS分析。Stack-EIS-M內(nèi)部電子負(fù)載與測(cè)試臺(tái)自身的外部電子負(fù)載配合使用。Stack-EIS-M允許...

    2022-06-05
  • 微區(qū)電化學(xué)掃描顯微鏡由以下基本部分組成:產(chǎn)生電子束的柱形鏡簡(jiǎn),電子束與樣品發(fā)生相互作用的樣品室,檢測(cè)樣品室所產(chǎn)生信號(hào)的探頭,以及將信號(hào)變因像的數(shù)據(jù)處理與顯示系統(tǒng)。微區(qū)電化學(xué)掃描顯微鏡的保養(yǎng)方法:1.保持儀器操作臺(tái)面整潔,不允許身體倚靠,凍水機(jī)等裝置不可放置重物2.開機(jī)時(shí)一定要先開水冷系統(tǒng),并要檢查冷卻水的溫度,關(guān)機(jī)至少15分鐘后才能關(guān)閉冷卻水3.進(jìn)樣品時(shí),檢查Z軸和T軸的位置.緩緩關(guān)閉樣品室,確保進(jìn)樣倉(cāng)門*關(guān)閉,才可點(diǎn)擊EVAC按鈕抽氣4.移動(dòng)樣品,通過配合移動(dòng)StageDr...

    2022-05-27
  • 原子沉積系統(tǒng)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法(技術(shù))。當(dāng)前驅(qū)體達(dá)到沉積基體表面,它們會(huì)在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對(duì)原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實(shí)現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出,任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進(jìn)行物理吸附,但是要實(shí)現(xiàn)在材料表面的化學(xué)吸附必須具有一定的活化能,因此能否實(shí)現(xiàn)原子層沉積,選擇合適的...

    2022-05-23
  • 原子層沉積系統(tǒng)的原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響,所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性,可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。原子層沉積系統(tǒng)的特點(diǎn):是一款獨(dú)立的PC計(jì)算機(jī)控制的ALD,帶Labview軟件,...

    2022-05-17
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